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公司動態(tài)

傳三星缺乏10nm以下封測技術(shù) 擬將次世代Exynos芯片后端制程外包

芯片制成微縮至 10 納米以下,據(jù)傳三星電子缺乏相關(guān)封測技術(shù),考慮把次世代

Exynos 芯片的后端制程外包。若真是如此,將提高三星晶圓代工成本。


韓媒 etnews 8 日報導(dǎo),業(yè)界消息透露,最近三星系統(tǒng) LSI 部門找上美國和中國

的 OSAT(委外半導(dǎo)體封裝測試業(yè)者),請他們開發(fā) 7、8 納米的封裝技術(shù)。據(jù)

傳美廠手上高通訂單忙不完,未立即回覆。陸廠則表達(dá)了接單意愿。


倘若三星真的把封測制程外包,將是該公司開始生產(chǎn) Exynos 芯片以來首例。三

星仍在考慮要自行研發(fā)或外包,預(yù)料在本月或下個月做出最后決定。


10 納米以下的芯片封裝不能采取傳統(tǒng)的加熱回焊(reflow),必須改用熱壓法

(thermo compression),三星沒有熱壓法封裝的經(jīng)驗,也缺乏設(shè)備,外包廠則

有相關(guān)技術(shù)。有鑒于 10 納米以下芯片生產(chǎn)在即,迫于時間壓力,可能會選擇外

包。相關(guān)人士表示,要是三星決定外包,會提高生產(chǎn)成本,不利三星。