最近，從中國科學院獲悉，中國電子科技集團有限公司第十三研究所專用集成電路國家級重點實驗

室與中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中國科學院納米器件與應用重點實驗室再次合作，

在高靈敏度石墨烯場效應晶體管太赫茲自混頻探測器的基礎上，實現(xiàn)了外差混頻和分諧波混頻探測，

最高探測頻率達到650GHz，利用自混頻探測的響應度對外差混頻和分諧波混頻的效率進行了校準，

該結果近期發(fā)表在碳材料雜志Carbon上。

頻率介于紅外和毫米波之間的太赫茲波在成像、雷達和通信等技術領域具有廣闊的應用前景，太赫

茲波與物質的相互作用研究具有重要的科學意義。高靈敏度太赫茲波探測器是發(fā)展太赫茲應用技術

的核心器件，是開展太赫茲科學研究的重要手段與主要內容之一。太赫茲波探測可分為直接探測和

外差探測兩種方式：直接探測僅獲得太赫茲波的強度或功率信息;而外差探測可同時獲得太赫茲波的

幅度、相位和頻率信息，是太赫茲雷達、通信和波譜成像應用必需的核心器件。外差探測器通過被

測太赫茲信號與低噪聲本地相干太赫茲信號的混頻，將被測信號下轉換為微波射頻波段的中頻信號

后進行檢測。與直接探測相比，外差探測通常具備更高的響應速度和靈敏度，但是探測器結構與電

路更加復雜，對混頻的機制、效率和材料提出了更高的要求。

天線耦合的場效應晶體管支持在頻率遠高于其截止頻率的太赫茲波段進行自混頻探測和外差混頻探

測。前者是直接探測的一種有效方法，可形成規(guī)�；�的陣列探測器，也是實現(xiàn)基于場效應晶體管的

外差混頻探測的基礎。目前，國際上基于CMOS晶體管實現(xiàn)了本振頻率為213GHz的2次(426GHz)和

3次(639GHz)分諧波混頻探測，但其高阻特性限制了工作頻率和中頻帶寬的提升。

石墨烯場效應晶體管因其高電子遷移率、高可調諧的費米能、雙極型載流子及其非線性輸運等特性

為實現(xiàn)高靈敏度的太赫茲波自混頻和外差混頻探測提供了新途徑。前期，雙方重點實驗室秦華團隊

和馮志紅團隊合作成功獲得了室溫工作的低阻抗高靈敏度石墨烯太赫茲探測器，其工作頻率(340GHz)

和靈敏度(～50pW/Hz1/2)達到了同類探測器中的最高水平。此次合作進一步使工作頻率提高至650GHz，

并實現(xiàn)了外差混頻探測。

此次獲得混頻頻率已遠高于國際上已報道的石墨烯外差探測的最高工作頻率(～200GHz)，但中頻信號帶

寬小于2GHz，低于國際上報道最高中頻帶寬(15GHz)。總體上，目前G-FET外差混頻探測器性能尚不及肖

特基二極管混頻器。但是，無論在材料質量還是在器件設計與工藝技術上，都有很大的優(yōu)化提升空間。

根據(jù)Andersson等人預測，G-FET的混頻轉換效率可降低至23.5dB，如何達到并超越肖特基二極管混頻探

測器的性能指標是未來需要重點攻關的關鍵問題。