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公司動態(tài)

臺積電打算興建晶圓廠 目標2022年率先導入3nm

隨著IC產(chǎn)業(yè)掀起整并風潮,臺積電、三星(Samsung)與英特爾(Intel)等半導體大廠近年來在制程技術(shù)上

的競爭也日益激烈,以爭取來自無晶圓廠客戶如蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)等的高利潤訂單;臺積

電的目標是在南科高雄園區(qū)興建新廠,以尋求領(lǐng)先競爭對手至少五年。


臺積電發(fā)言人孫又文(Elizabeth Sun)向臺灣本地媒體證實,科技部長楊弘敦在數(shù)月前曾經(jīng)與臺積電會

談,因此該公司趁機提出了未來發(fā)展計劃:「我們希望他知道我們需要一片土地,因為臺灣其他科學

園區(qū)都已經(jīng)沒有空間。


孫又文表示,臺積電的新廠需要至少50~80公頃的土地,投資額約5,000億新臺幣(約157億美元);

2022年是一個預估的時間表,還需考慮晶圓廠興建過程中無法預期的延遲因素,最近臺積電有部分

計劃就因為召開環(huán)境評估公聽會等因素而延遲了一年之久。


此外臺積電也敦促臺灣政府能及時給予該公司的新廠在土地、電力供應等基礎(chǔ)建設(shè)方面的支持;孫又

文指出,過去臺積電在臺灣的其他廠區(qū)就曾面臨電力與水源短缺的問題:「我們將希望政府提供的

基礎(chǔ)建設(shè)需求提出,所有的東西都需要長期規(guī)劃,而政府全權(quán)管理科學園區(qū)。


而臺積電也表示該公司尚未決定是否將在5納米與3納米節(jié)點采用極紫外光(EUV)微影技術(shù);

「我們目前的計劃是在5納米節(jié)點廣泛采用EUV,」不過孫又文強調(diào):「這是建立在屆時EUV技術(shù)已

經(jīng)準備就緒的前提下。


臺積電預計在2017年量產(chǎn)7納米節(jié)點,5納米節(jié)點預定量產(chǎn)時程則為2019年,以支持智能型手機與

配備包括虛擬現(xiàn)實(VR)、擴增實境(AR)等功能的高階行動裝置應用。


目前全球各家半導體領(lǐng)導廠商的目標是導入10納米制程;臺積電在今年第三季已經(jīng)將10納米制程由開

發(fā)階段轉(zhuǎn)為準備量產(chǎn),并已經(jīng)有5款行動產(chǎn)品應用的芯片投片,估計首款10納米芯片將于明年第一

季量產(chǎn)。臺積電預期,高階智能型手機芯片將在2017年由16納米邁進10納米制程節(jié)點。


三星的目標是在今年底之前推出以10納米FinFET制程生產(chǎn)的SoC,一舉領(lǐng)先對手英特爾與臺積電;至

于英特爾則在今年稍早表示,該公司的10納米制程將超越其他晶圓代工業(yè)者,應用于為LG等廠商制

造ARM核心手機芯片。