聯(lián)穎光電砷化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)副總經(jīng)理兼技術(shù)長(zhǎng)林嘉孚表示，化合物半導(dǎo)體發(fā)展與單晶半導(dǎo)體的起步時(shí)間幾乎同時(shí)，

但受限于材料復(fù)雜性等問(wèn)題，化合物半導(dǎo)體一直以來(lái)難以與單晶半導(dǎo)體相以抗衡，導(dǎo)致化合物半導(dǎo)體發(fā)展落后

單晶半導(dǎo)體將近二十年之久。

但化合物半導(dǎo)體發(fā)展至今，在材料已日趨成熟，未來(lái)發(fā)展無(wú)可限量。除了已經(jīng)很成熟的LED之外，未來(lái)仍將是

化合物半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場(chǎng)外，射頻通訊、高功率半導(dǎo)體與雷射光源也都有很大的成長(zhǎng)空間。

林嘉孚指出，射頻元件的接收到發(fā)送基本上皆屬于高頻訊號(hào)，因此從有線到無(wú)線網(wǎng)路的射頻元件應(yīng)用，主要都

采用化合物半導(dǎo)體元件，包含異質(zhì)接面雙極電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)、高電子移動(dòng)率電

晶體(pHEMT)、BiHEMT與整合式被動(dòng)元件(Integrated Passive Device, IPD)等都是射頻的重要技術(shù)。

全球IP流量成長(zhǎng)，包含語(yǔ)音、視訊及數(shù)據(jù)網(wǎng)路的匯聚，進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)據(jù)流量的爆炸性成長(zhǎng)，對(duì)于射頻的通訊連

接功能需求隨之而起，驅(qū)動(dòng)整體化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)。

除了射頻元件外，雷射光源如垂直腔表面發(fā)射雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL)及與電源管

理，也是化合物半導(dǎo)體主要應(yīng)用領(lǐng)域。林嘉孚談到，光源應(yīng)用里面最重要的是發(fā)光體雷射技術(shù)，無(wú)論是在光通

訊、資料中心，甚至手機(jī)未來(lái)也可能采用VCSEL元件，以實(shí)現(xiàn)3D感測(cè)或接近感測(cè)等功能。

電源管理則是未來(lái)綠色能源或太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)，必要的功能之一。目前電源管理元件大多采用矽晶材料，但在高功

率應(yīng)用中，矽晶片的效率遠(yuǎn)不如氮化鎵(GaN)。林嘉孚認(rèn)為，未來(lái)的五到十年之內(nèi)，綠能或太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)將會(huì)全

面改采用GaN作為替代方案，以減低能源損耗。

整體而言，林嘉孚表示，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擁有植基于矽晶產(chǎn)業(yè)的能力，一路從磊晶成長(zhǎng)、制造、封裝、設(shè)計(jì)到

測(cè)試形成一個(gè)完整的生態(tài)環(huán)境，未來(lái)若將同樣的生態(tài)圈轉(zhuǎn)移至復(fù)合式半導(dǎo)體的話，將建構(gòu)成一個(gè)整合度更高

的完整供應(yīng)鏈，為臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展推向另一座高峰。