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公司動(dòng)態(tài)

武漢新芯進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè),建12寸DRAM廠

大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金

與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。


這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購(gòu)多家國(guó)際大廠之后,大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。

武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠,是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案,牽動(dòng)全球記憶體板塊

移動(dòng),業(yè)界高度關(guān)注 。


業(yè)界人士指出,先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè),挾官方資源撐腰下,大舉擴(kuò)產(chǎn),使得這些

產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)、供過于求的窘境。


武漢新芯進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè),大舉建廠,加上紫光和合肥市政府后續(xù)也都有意在大陸蓋DRAM廠,反映大

陸力攻記憶體的旺盛企圖心,是否會(huì)讓DRAM產(chǎn)業(yè)重蹈LED、面板、觸控的覆轍, 使市場(chǎng)陷入紅海,乃

至威脅南亞科、華邦等臺(tái)灣廠商,都不容小覷。


據(jù)悉,武漢新芯稍早也曾爭(zhēng)取與三星、SK海力士及美光等大廠技術(shù)合作,但未獲三大廠同意,武漢新

芯因而改采自主研發(fā)與蓋廠方式進(jìn)行。


DRAM 專業(yè)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示,武漢新芯成立于二○○六年,是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項(xiàng)

目,先前曾與大陸晶圓代工龍頭中芯國(guó)際一起營(yíng)運(yùn)中芯旗下的一座十 二寸廠。隨著中芯二○一三年退

出合作,武漢新芯獨(dú)立為單一公司,由武漢市政府負(fù)責(zé),經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)多具備國(guó)際半導(dǎo)體公司歷練背景

邦匯整的資料顯示,武漢新芯仍持續(xù)主導(dǎo)從中芯手中接下的十二寸廠生產(chǎn),目前主要品以編碼型快閃

記憶體(NOR Flash)為主,并進(jìn)軍3D NAND晶片技術(shù)研發(fā),未來將打造至少二座以上十二寸晶圓廠的中

國(guó)大陸記憶體晶片制造基地。


武漢新芯后來并獲得大陸國(guó)家大基金支持,將籌資二百四十億美元(約新臺(tái)幣七千八百億元),長(zhǎng)期建

立月產(chǎn)能高達(dá)卅萬片的十二寸廠,生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等關(guān)鍵記憶體產(chǎn)品。