近年來，半導(dǎo)體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下，但是新材料的出現(xiàn)，或可讓它迎來又一個(gè)拐點(diǎn)。

美國猶他州大學(xué)的工程師們，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種由一氧化錫制成、只有單原子厚度的新型平面材料。這種材料可讓

電荷以更快的速度通過，遠(yuǎn)勝硅與其它3D材料。相比之下，在傳統(tǒng)電子設(shè)備上，電荷會(huì)以各個(gè)方向穿過晶體管、

以及玻璃襯底上其它由硅層組成的部件。

采用錫氧材料打造的更快的半導(dǎo)體器件

直到近年，工程師們才更多地將目光放到了諸如石墨烯(graphene)、二硫化鉬(molybdenum disulfide)、硼墨烯

(borophene)等2D材料上。

領(lǐng)導(dǎo)這項(xiàng)研究的Ashutosh Tiwari教授稱其強(qiáng)制電子“僅在單層上以快得多的速度通過”，是加快填補(bǔ)電子新材料缺

口的一個(gè)重要組成部分。

與石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同，其同時(shí)允許負(fù)電子和正正電荷穿過，因此研究團(tuán)隊(duì)將之描述為“現(xiàn)有首

種穩(wěn)定P型2D半導(dǎo)體材料”。

我們現(xiàn)在已經(jīng)擁有了一切，事物將會(huì)以快得多的速度推進(jìn)。

團(tuán)隊(duì)認(rèn)為這種材料可用于制造比當(dāng)前所使用的更小、更快的晶體管，讓計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備的運(yùn)行速度提升百倍，

同時(shí)溫度更低、效率更高，并且延長電池的續(xù)航。

當(dāng)前該領(lǐng)域異常火熱，人們對(duì)它深感興趣。有鑒于此，我們有望在2到3年內(nèi)看到一些原型設(shè)備。

這項(xiàng)研究已經(jīng)發(fā)表于本周出版的《先進(jìn)電子材料》(Advanced Electronic Materials)期刊上。