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BF1108R數(shù)據(jù)表

制造商: NXP

產(chǎn)品種類: 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

晶體管極性: N-Channel

技術(shù): Si

Id-連續(xù)漏極電流: 10 mA

Vds-漏源極擊穿電壓: 3 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 Ohms

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-143R

配置: Single  

高度: 1.1 mm  

長度: 3 mm  

類型: RF Small Signal MOSFET  

寬度: 1.4 mm  

商標(biāo): NXP Semiconductors  

產(chǎn)品類型: RF MOSFET Transistors  

子類別: MOSFETs  

Vgs - 柵極-源極電壓: 7 V