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BF1205數(shù)據(jù)表

RoHS:  詳細(xì)信息  

晶體管極性: N-Channel

技術(shù): Si

Id-連續(xù)漏極電流: 30 mA

Vds-漏源極擊穿電壓: 6 V, 6 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: -

最小工作溫度: - 65 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-363-6

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual  

高度: 1 mm  

長度: 2.2 mm  

類型: RF Small Signal MOSFET  

寬度: 1.35 mm  

商標(biāo): NXP Semiconductors  

通道模式: Enhancement  

CNHTS: 8541210000  

HTS代碼: 8541210075  

MXHTS: 85412101  

Pd-功率耗散: 180 mW  

產(chǎn)品類型: RF MOSFET Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V, 10 V  

零件號(hào)別名: BF1205C T/R  

單位重量: 6 mg