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BFP196W數(shù)據(jù)表
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 射頻(RF)雙極晶體管
技術(shù): Si
晶體管極性: NPN
直流集電極/Base Gain hfe Min: 70
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 12 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 2 V
集電極連續(xù)電流: 100 mA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-343-4
集電極—基極電壓 VCBO: 20 V
高度: 0.9 mm
長(zhǎng)度: 2 mm
寬度: 1.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
增益帶寬產(chǎn)品fT: 7.5 GHz
最大直流電集電極電流: 0.15 A
產(chǎn)品類型: RF Bipolar Transistors
子類別: Transistors
單位重量: 6.400 mg