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CSD16409Q3    數(shù)據(jù)表

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VSON-Clip-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 16 V

Qg-柵極電荷: 4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.6 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1 mm  

長(zhǎng)度: 3.3 mm  

系列: CSD16409Q3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 3.3 mm  

商標(biāo): Texas Instruments  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S  

下降時(shí)間: 3.4 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 10.6 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 6.3 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 6.5 ns  

單位重量: 41.800 mg