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DMN63D8LV-7數(shù)據(jù)表

制造商: Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-563-6

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 260 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.8 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 0.87 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 450 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: DMN63  

晶體管類型: 2 N-Channel  

商標(biāo): Diodes Incorporated  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 mS  

下降時(shí)間: 6.3 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 3.2 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 3.3 ns  

單位重量: 3 mg