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FSEZ1216NY數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: DIP-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 1 A

Rds On-漏源導通電阻: 9.3 Ohms

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

Pd-功率耗散: 800 mW

配置: Single

封裝: Tube

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

系列: FSEZ1216  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: Primary Side Regulation PWM Integrated Power MOSFET  

商標: ON Semiconductor / Fairchild  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

工廠包裝數(shù)量: 1  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 13 ns  

典型接通延遲時間: 7 ns  

單位重量: 1 g