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FDG6322C數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-323-6

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 220 mA, 410 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.1 mm  

長度: 2 mm  

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

系列: FDG6322C  

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

類型: FET  

寬度: 1.25 mm  

商標: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.2 S, 0.9 S  

下降時間: 4.5 ns, 8 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 4.5 ns, 8 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 4 ns, 55 ns  

典型接通延遲時間: 5 ns, 7 ns  

零件號別名: FDG6322C_NL  

單位重量: 28 mg