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FQPF3N80C數(shù)據(jù)表
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: QFET
封裝: Tube
高度: 16.07 mm
長(zhǎng)度: 10.36 mm
系列: FQPF3N80C
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
類(lèi)型: MOSFET
寬度: 4.9 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 3 S
下降時(shí)間: 32 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 43.5 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22.5 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
零件號(hào)別名: FQPF3N80C_NL
單位重量: 2.270 g