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FQP10N60C數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 9.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 730 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

高度: 16.3 mm  

長(zhǎng)度: 10.67 mm  

系列: FQP10N60C  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 4.7 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

下降時(shí)間: 77 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 69 ns  

工廠包裝數(shù)量: 50  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 144 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 23 ns  

零件號(hào)別名: FQP10N60C_NL  

單位重量: 1.800 g