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FQP12P10數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 290 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 75 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: QFET

封裝: Tube

高度: 16.3 mm  

長度: 10.67 mm  

系列: FQP12P10  

晶體管類型: 1 P-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 4.7 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.7 S  

下降時(shí)間: 60 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 160 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 35 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns  

單位重量: 1.800 g