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GT30J101數(shù)據(jù)表

制造商: Toshiba

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-3PN-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: GT30J101

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 30 A  

高度: 19 mm  

長(zhǎng)度: 15.9 mm  

寬度: 4.8 mm  

商標(biāo): Toshiba  

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors  

子類別: IGBTs