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HGTG5N120BND數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 2.45 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 21 A

Pd-功率耗散: 167 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: HGTG5N120BND

封裝: Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 21 A  

高度: 20.82 mm  

長度: 15.87 mm  

寬度: 4.82 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

集電極連續(xù)電流: 21 A  

柵極—射極漏泄電流: +/- 250 nA  

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 450  

子類別: IGBTs  

零件號(hào)別名: HGTG5N120BND_NL  

單位重量: 6.390 g