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IRF1018ESLPBF數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-262-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 79 A

Rds On-漏源導通電阻: 8.4 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 46 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 110 W

配置: Single

封裝: Tube

高度: 9.45 mm  

長度: 10.2 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 4.5 mm  

商標: Infineon / IR  

正向跨導 - 最小值: 110 S  

下降時間: 46 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 35 ns  

工廠包裝數(shù)量: 50  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 55 ns  

典型接通延遲時間: 13 ns  

零件號別名: SP001550908  

單位重量: 2.084 g