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IPW60R041C6數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 77.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 37 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 290 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 481 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Tube

高度: 21.1 mm  

長度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS C6  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.21 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 7 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 10 ns  

工廠包裝數(shù)量: 240  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 130 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 23 ns  

零件號(hào)別名: IPW60R041C6FKSA1 IPW6R41C6XK SP000718886  

單位重量: 38 g