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IPW60R075CP數(shù)據表

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 39 A

Rds On-漏源導通電阻: 68 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 116 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 313 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: CoolMOS

封裝: Tube

高度: 21.1 mm  

長度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS CE  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.21 mm  

商標: Infineon Technologies  

下降時間: 7 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 17 ns  

工廠包裝數(shù)量: 240  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 110 ns  

典型接通延遲時間: 40 ns  

零件號別名: IPW60R075CPFKSA1 IPW6R75CPXK SP000358192  

單位重量: 38 g