STF13NM60N數(shù)據(jù)表

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11 A

Rds On-漏源導通電阻: 360 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 25 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

系列: STW13NM60N  

晶體管類型: 1 N-Channel  

商標: STMicroelectronics  

下降時間: 10 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 8 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 30 ns  

典型接通延遲時間: 3 ns  

單位重量: 330 mg