G20N50C數(shù)據(jù)表

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247AC-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 270 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 65 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 250 mW (1/4 W)

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

高度: 20.82 mm  

長(zhǎng)度: 15.87 mm  

系列: E  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.31 mm  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.4 S  

下降時(shí)間: 44 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 27 ns  

工廠包裝數(shù)量: 500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 32 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 80 ns  

單位重量: 38 g