FF1000R17IE4數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V

集電極—射極飽和電壓: 2.45 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 1390 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 6.25 kW

封裝 / 箱體: PRIME3

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

封裝: Tray

高度: 38 mm  

長度: 250 mm  

寬度: 89 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

安裝風(fēng)格: Screw  

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

產(chǎn)品類型: IGBT Modules  

工廠包裝數(shù)量: 2  

子類別: IGBTs  

零件號別名: FF1000R17IE4BOSA1 SP000609592  

單位重量: 1.263 kg