IPP032N06N3G數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 124 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

高度: 15.65 mm  

長度: 10 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor  

寬度: 4.4 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 149 S, 75 S  

下降時(shí)間: 20 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 120 ns  

工廠包裝數(shù)量: 500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 62 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 35 ns  

零件號別名: IPP032N06N3GHKSA1 IPP32N6N3GXK SP000453612  

單位重量: 6 g