FF150R12KT3G數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 225 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 780 W

封裝 / 箱體: 62 mm

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

封裝: Tray

高度: 30.9 mm  

長度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

安裝風(fēng)格: Screw  

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

產(chǎn)品類型: IGBT Modules  

工廠包裝數(shù)量: 10  

子類別: IGBTs  

零件號別名: FF150R12KT3GHOSA1 SP000100788  

單位重量: 340 g