CSD18531Q5A數(shù)據(jù)表

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VSONP-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single Triple Source Quad Drain

Pd-功率耗散: 156 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1 mm  

長度: 6 mm  

系列: CSD18531Q5A  

晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET  

寬度: 4.9 mm  

商標(biāo): Texas Instruments  

開發(fā)套件: DRV8711EVM  

下降時(shí)間: 2.7 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 7.8 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 4.4 ns