NTB5605PT4G數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 18.5 A

Rds On-漏源導通電阻: 140 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 5 V

Qg-柵極電荷: 13 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 88 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 4.83 mm  

長度: 10.29 mm  

系列: NTB5605P  

晶體管類型: 1 P-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 9.65 mm  

商標: ON Semiconductor  

正向跨導 - 最小值: 12 S  

CNHTS: 8541290000  

下降時間: 75 ns  

HTS代碼: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 122 ns  

工廠包裝數(shù)量: 800  

子類別: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型關(guān)閉延遲時間: 29 ns  

典型接通延遲時間: 12.5 ns  

單位重量: 4 g

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