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FF900R12IE4數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 模塊

產品: IGBT Silicon Modules

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 2.05 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 900 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 5.1 kW

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

封裝: Tray

商標: Infineon Technologies  

安裝風格: Chassis Mount  

CNHTS: 8541290000  

HTS代碼: 8541290095  

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

MXHTS: 85412999  

產品類型: IGBT Modules  

工廠包裝數(shù)量: 3  

子類別: IGBTs  

TARIC: 8541290000  

零件號別名: FF900R12IE4BOSA1 SP000614712