FF200R33KF2C數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V

集電極—射極飽和電壓: 3.4 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 330 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 2.2 kW

封裝 / 箱體: IHM 73X140-8

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

封裝: Tray

高度: 38 mm  

長(zhǎng)度: 140 mm  

寬度: 73 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

安裝風(fēng)格: Chassis Mount  

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V  

產(chǎn)品類型: IGBT Modules  

工廠包裝數(shù)量: 4  

子類別: IGBTs  

零件號(hào)別名: FF200R33KF2CNOSA1 SP000100616

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