FF400R33KF2C數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 模塊

RoHS: N  

產品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V

集電極—射極飽和電壓: 3.4 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 660 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 4.8 kW

封裝 / 箱體: IHM

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

封裝: Tray

高度: 38 mm  

長度: 140 mm  

寬度: 130 mm  

商標: Infineon Technologies  

安裝風格: Chassis Mount  

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V  

產品類型: IGBT Modules  

工廠包裝數(shù)量: 2  

子類別: IGBTs  

零件號別名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614

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